기재부 관계자는 "SK하이닉스나 삼성전자 등 HBM 제조 기업에 대한 지원에 그치지 말고 이와 협력하는 소부장 기업도 세제혜택이 필요하다는 업계 요구가 여럿 제기돼 이번 시행규칙에 반영됐다"고 설명했다.

이외에도 디스플레이 분야 ▲하이브리드 커버 윈도우 소재 제조 시설 ▲마이크로LED 소부장 제조.

2002년SK하이닉스에 입사한 HBM융합기술 한권환 부사장은 초기 HBM 개발부터 참여한 후 모든 세대 HBM 제품 개발과 양산을 이끌며 1등 리더십을 구축해 온 주역이다.

그는 최적의 양산 환경 구축해 차세대 HBM 리더십까지 이어간다는 구상을 하고 있다.

SK하이닉스뉴스룸은 26일 2025년 신임임원으로 선임된.

아울러 LG에너지솔루션(1조6000억원), LG화학(1조원),SK하이닉스(7500억원), 한화생명(신종)(6000억원), 롯데쇼핑(5000억원) 등 대규모 발행을 대표주관사로써 발행 회사의 차입금 차환 및 사업 확장 등에 기여했다.

한화시스템(2500억원), OCI(1500억원) 등 초도발행 주관에 나서 기업의 시장 데뷔도 이끌었다.

SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리 'HBM4' 테스트 수율을 70%까지 끌어올린 것으로 파악됐다.

양산 단계 전 시험 평가에서 진전된 결과를 얻어 귀추가 주목된다.

SK하이닉스가 HBM4 시장에서도 유리한 고지에 오를 지 주목된다.

26일 업계에 따르면SK하이닉스는 최근 HBM4 12단 테스트에서 수율 70%를.

한권환SK하이닉스(000660) HBM융합기술 부사장은 26일 "올해 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하는 동시에 차세대 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것"이라고 강조했다.

한 부사장은 26일SK하이닉스뉴스룸에 게재된 인터뷰에서 "올해 주력으로.

SK하이닉스가 늘어나는 HBM(고대역폭메모리) 수요에 대응해 올해 생산 라인의 효율성을 높이면서 시장 리더십을 지속 유지할 계획이다.

26일SK하이닉스뉴스룸은 올해 신임임원 인터뷰를 통해 HBM 융합기술을 담당하고 있는 한권환 부사장을 인터뷰하고 HBM 기술 혁신 전략과 목표를 공개했다.

SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹의 첫 삽을 떴다.

이는 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행함으로써 계획보다 앞당겨져 이뤄졌다.

총 415만m2 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는SK하이닉스팹과 소재·부품·장비 업체 협력화 단지, 인프라 부지로 조성되며.

이동·남사읍 일대의 '첨단 시스템반도체 국가산업단지'와 원삼면의 '용인 반도체클러스터 일반산업단지'가 삼성전자와SK하이닉스의 대규모 투자와 함께 추진되고 있어, 미래 가치가 더욱 높아지고 있다.

국토교통부는 올해 상반기 중 토지 보상에 착수할 계획이며, 반도체 산업단지를 관통하는 45번.

미국 증시에서 반도체를 비롯한 기술주가 하락했으나 최근 내리던SK하이닉스도 1%대 상승 전환하는 등 미국발 악재에서도 비교적 견조한 흐름이다.

코스피 시가총액 상위 10개 종목 중 셀트리온(068270) 8.

79%, 현대차(005380) 0.

99%, NAVER(035420) 0.

88%,SK하이닉스(000660) 0.

75%, 기아(000270) 0.

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SK하이닉스용인 반도체 클러스터 건설 현장.

[사진=SK하이닉스]SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(Fab) 건설에 착공하며 AI 반도체 시장 선점에 속도를 내고 있다.

HBM을 포함한 D램 생산의 핵심 거점으로 활용한다는 방침이다.

한편, 삼성전자 역시 오는 2026년 용인 첨단시스템반도체 국가산업단지.